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ShanXiZhongJuJingKe Semiconductor Co., Ltd

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100kg 고순도 사파이어 잉곳
최근에, 결정 형성 메카니즘, 결정화 전면의 형태 학적 안정성, 불순물의 역할, 용융물에서의 열 및 농도 흐름, 및 구조적 결함의 형성에 영향을 미치는 기타 요인의 이해에있어서 특정 성공이 달성되었다. 그러나, 실제 결정체의 파라미터와 그 달성 조건 사이의 관계는 미리 결정된 특성을 갖는 결정을 얻는 데있어서 가장 중요한 과제로 남아있다. 이 작업을 수행하려면 액체-고체 계면과 대부분의 단계에서 원자재, 결정 성장 매체, 열 및 물질 전달, 결정의 냉각 과정 및 그에 따른 열 및 기계에 대한 자세한 분석이 필요합니다. 치료. 중주는 고품질의 대형 사파이어 결정을...
2 인치 4 인치 6 인치 사파이어 잉곳
역사적으로, 레이저 요소를위한 결정은 Verneuil 방법에 의해 얻어졌다. 현재,이 목적을 위해 사용 된 결정은 초크 랄 스키 (Czochralski), 키로 풀 로스 (Kyropoulos) 및 HEM 방법에 의해 용융물로부터 성장하며 가장 높은 광학적 균질성을 갖는다. 결정 성장 챔버에서 사용되는 성장 매체는 Ar 또는 N이다 중주는 고품질의 대형 사파이어 결정을 성장시키기 어려운 Kyropoulos 방법에 의한 전통적인 결정 성장의 한계를 극복했습니다. 현재 120kg의 고품질 사파이어 크리스탈이 안정적으로 생산되며 생산 능력이 안정적인 공급 요구 사항을...
100kg 대형 사파이어 잉곳
고전력 UV 방사선에 대한 포콘의 포토 레지스트를 증가시키기 위해, 결정은 음이온 성 공석으로 포화된다. 결정의 장기 작동 과정에서 유도 된 흡수가 발생할 수 있으며 출력면의 온도가 내려갑니다. 환원 조건 하에서의 어닐링은 물품의 광학 품질을 완전히 회복시킨다. 중주는 고품질의 대형 사파이어 결정을 성장시키기 어려운 Kyropoulos 방법에 의한 전통적인 결정 성장의 한계를 극복했습니다. 현재 120kg의 고품질 사파이어 크리스탈이 안정적으로 생산되며 생산 능력이 안정적인 공급 요구 사항을 충족시킬 수 있습니다. 우리는 고객이 해당 요청을 할 경우 훨씬 더 큰...
100kg 고경도 사파이어 잉곳
결정 치수의 상부 경계는 포토 리시버가 입사 방사선에 수직 인 결정면에 연결된 경우에 해당하고; 가장 먼 지점의 빛이 판별 임계 값 (10 keV)을 초과 할 때의 조건에 대해 계산됩니다. 흡수 계수 ( K ) 의 상이한 값들에 대한 상부 경계 는가는 선으로 도시된다. 굵은 선은 하한을 나타냅니다. 중주는 고품질의 대형 사파이어 결정을 성장시키기 어려운 Kyropoulos 방법에 의한 전통적인 결정 성장의 한계를 극복했습니다. 현재 120kg의 고품질 사파이어 크리스탈이 안정적으로 생산되며 생산 능력이 안정적인 공급 요구 사항을 충족시킬 수 있습니다. 우리는 고객이...
100kg 클리어 사파이어 잉곳
TL- 액티브 트랩, 발광 센터 및 딥 트랩을 포함하는 대화식 트랩 시스템의 구역 방식이 크리스탈에 제안되어있다. 선량-특성 선형성을 담당하는 메커니즘 중 하나는 선량 측정과 깊은 트랩의 대화식 결합입니다. 선량계 효율을 높이기위한 실제 권장 사항이 제안됩니다. 이들은 TL 용량 의존성의 형성에 대한 트랩 상호 작용 기여의 감소에 기초한다. 고용량 측정 과정에서 깊은 트랩이 최대로 채워지거나 완전히 비워지면 이러한 감소를 달성 할 수 있습니다. 딥 트랩의 예비 충전은 선량 피크의 온도 범위보다 높은 온도에서의 조사에 의해 제공된다. 고용량 조사의 각 사건 후...

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