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ShanXiZhongJuJingKe Semiconductor Co., Ltd

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100kg 버블 프로세스 사파이어 잉곳

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Overview

구조적인 사파이어 요소 는 다른 결정의 성장에 적용됩니다. 대형 BGO 크라이 탈의 성장 과정에서 종자 고정 방법은 다음과 같습니다. 이러한 시설을 사용하면 백금 소비가 줄어들고 서비스 수명이 늘어납니다.

히터 이동 방법으로 고온 결정을 성장시키는 동안, 수냉식 막대에 고정 된 도가니에 대량의 사파이어 지지대를 사용하면 사파이어의 높은 열 전도성으로 도가니 바닥에서 효과적으로 열을 제거 할 수 있습니다.



중주는 고품질의 대형 사파이어 결정을 성장시키기 어려운 Kyropoulos 방법에 의한 전통적인 결정 성장의 한계를 극복했습니다.

현재 120kg의 고품질 사파이어 크리스탈이 안정적으로 생산되며 생산 능력이 안정적인 공급 요구 사항을 충족시킬 수 있습니다. 우리는 고객이 해당 요청을 할 경우 훨씬 더 큰 크리스탈을 생산할 수 있습니다. 인쇄물 또는 구성 요소의 최대 직경은 최대 12 인치에이를 수 있습니다.

white sapphire crackle


제품 디렉토리 : 사파이어 잉곳 > 100kg 사파이어 잉곳

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