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사파이어 기판 은이 재료의 구조적 적용에서 가장 중요한 측면 중 하나에 속합니다. Si, GaN, AlGaN과 같은 반도체 막의 에피 택시 및 집적 회로 제작에 사용됩니다.
사파이어 기판은 불활성이며 고온 및 기계적 하중에서 작동하며 큰 크기로 얻을 수 있습니다. 따라서 격자 매개 변수가 이종 에피 택셜 구조의 매개 변수와 완전히 일치하지 않는 경우에도 사용됩니다.
사파이어 기판을 대체 할 수있는 재료로 간주되는 기판이 많이 있지만, 합리적인 가격과 비교적 낮은 불일치로 인해 기판 (GaN LED 성장 용) 시장에서 여전히 지배적이다. Zhongju는 고객의 요구에 따라 기판을 처리 할 수 있습니다. 현재, 사파이어 기판 생산은 고품질의 정확한 방향으로 2 ~ 12 인치에 이릅니다.
기판의 크기
|
2 inches Substrates |
4 inches Substrates |
6 inches Substrates |
Diameter (mm) |
50.9±0.1 |
100.1±0.1 |
150.1±0.1 |
Primary Flat Length (mm) |
16±1 |
31±1 |
47.5±1 |
기판의 사양
Material |
High purity single crystal sapphire |
Surface Orientation |
C-plane ± 0.1° |
Primary Flat Orientation |
A-plane ± 0.5° |
Broken edge length |
≤3mm |
Crack |
0 |
Defect |
No inclusion,twin,or boundary |
Bubble and cloud |
Dense bubbles, clouds, and scattered bubble marked and counted as defects by length |
EPD |
≤1000 pits/cm2 |
제품 디렉토리 : 사파이어 창 > 웨어러블 사파이어 윈도우 장치
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