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ShanXiZhongJuJingKe Semiconductor Co., Ltd

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사파이어 잉곳 LED 그레이드

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Overview

연구 된 재료와 얇은 루비 플레이트가 사파이어 플레이트 사이에 고정됩니다. 조사 된 판에 전류 또는 레이저 가열의 영향으로 1-2ms 동안 ~ 100kbar의 압력이 발생합니다.

루비 발광 피크 값의 이동으로부터 압력이 측정된다. l = 532 nm 에서의 펄스 는 광 가이드 및 사파이어 플레이트를 통해 루비 플레이트에인가된다.

발광 신호는 동일한 광 가이드를 사용하여 l = 700 nm 에서 전달된다 . 이 신호에서 발광 피크의 이동 (0.5 nm)은 20 kbar의 압력 증가에 해당합니다.

소모품 변환기로서 크롬 함량이 0.5–0.7 % 인 고품질 루비가 사용됩니다.

루비 기반 압력 변환기 는 60kbar 정도의 정수압에 사용됩니다. 이러한 센서는 직경 0.6 mm, 두께 0.1 mm의 디스크 형태로 4 · 10 14 스핀을 포함합니다.



사파이어 기판을 대체 할 수있는 재료로 간주되는 기판이 많이 있지만, 합리적인 가격과 비교적 낮은 불일치로 인해 기판 (GaN LED 성장 용) 시장에서 여전히 지배적이다. Zhongju는 고객의 요구에 따라 기판을 처리 할 수 ​​있습니다. 현재, 사파이어 기판 생산은 고품질과 정확한 방향으로 2 ~ 12 인치에 이릅니다.

기판의 크기

 

2 inches Substrates

4 inches Substrates

6 inches Substrates

Diameter (mm)

50.9±0.1

100.1±0.1

150.1±0.1

Primary Flat Length (mm)

16±1

31±1

47.5±1

기판의 사양

Material

High purity single crystal sapphire

Surface Orientation

C-plane ± 0.1°

Primary Flat Orientation

A-plane ± 0.5°

Broken edge length

≤3mm

Crack

0

Defect

No inclusiontwinor boundary

Bubble and cloud

Dense bubbles, clouds, and scattered bubble marked and  counted as defects by length

EPD

≤1000 pits/cm2


제품 디렉토리 : 사파이어 창 > 사파이어 렌즈

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