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연구 된 재료와 얇은 루비 플레이트가 사파이어 플레이트 사이에 고정됩니다. 조사 된 판에 전류 또는 레이저 가열의 영향으로 1-2ms 동안 ~ 100kbar의 압력이 발생합니다.
루비 발광 피크 값의 이동으로부터 압력이 측정된다. l = 532 nm 에서의 펄스 는 광 가이드 및 사파이어 플레이트를 통해 루비 플레이트에인가된다.
발광 신호는 동일한 광 가이드를 사용하여 l = 700 nm 에서 전달된다 . 이 신호에서 발광 피크의 이동 (0.5 nm)은 20 kbar의 압력 증가에 해당합니다.
소모품 변환기로서 크롬 함량이 0.5–0.7 % 인 고품질 루비가 사용됩니다.
루비 기반 압력 변환기 는 60kbar 정도의 정수압에 사용됩니다. 이러한 센서는 직경 0.6 mm, 두께 0.1 mm의 디스크 형태로 4 · 10 14 스핀을 포함합니다.
사파이어 기판을 대체 할 수있는 재료로 간주되는 기판이 많이 있지만, 합리적인 가격과 비교적 낮은 불일치로 인해 기판 (GaN LED 성장 용) 시장에서 여전히 지배적이다. Zhongju는 고객의 요구에 따라 기판을 처리 할 수 있습니다. 현재, 사파이어 기판 생산은 고품질과 정확한 방향으로 2 ~ 12 인치에 이릅니다.
기판의 크기
|
2 inches Substrates |
4 inches Substrates |
6 inches Substrates |
Diameter (mm) |
50.9±0.1 |
100.1±0.1 |
150.1±0.1 |
Primary Flat Length (mm) |
16±1 |
31±1 |
47.5±1 |
기판의 사양
Material |
High purity single crystal sapphire |
Surface Orientation |
C-plane ± 0.1° |
Primary Flat Orientation |
A-plane ± 0.5° |
Broken edge length |
≤3mm |
Crack |
0 |
Defect |
No inclusion,twin,or boundary |
Bubble and cloud |
Dense bubbles, clouds, and scattered bubble marked and counted as defects by length |
EPD |
≤1000 pits/cm2 |
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