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ShanXiZhongJuJingKe Semiconductor Co., Ltd

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120kg 버블 프로세스 사파이어 잉곳

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Overview

결정 치수의 상부 경계는 포토 리시버가 입사 방사선에 수직 인 결정면에 연결된 경우에 해당하고; 가장 먼 지점의 빛이 판별 임계 값 (10 keV)을 초과 할 때의 조건에 대해 계산됩니다. 흡수 계수 ( K ) 의 상이한 값에 대한 상부 경계 는가는 선으로 도시된다. 굵은 선은 하한을 나타냅니다.



중주는 고품질의 대형 사파이어 결정을 성장시키기 어려운 Kyropoulos 방법에 의한 전통적인 결정 성장의 한계를 극복했습니다. 현재 120kg의 고품질 사파이어 크리스탈이 안정적으로 생산되며 생산 능력이 안정적인 공급 요구 사항을 충족시킬 수 있습니다. 우리는 고객이 해당 요청을 할 경우 훨씬 더 큰 결정을 생산할 수 있습니다. 인쇄물 또는 구성 요소의 최대 직경은 최대 12 인치에이를 수 있습니다.

high density sapphire ingot



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